一种基片自对准键合方法
授权
摘要
本发明涉及一种图案化SiO2薄膜表面液体张力调控技术，利用亲水性实现基片自对准键合，具体为一种基片自对准键合方法。本发明采用NaOH去除光刻胶，同时将刻蚀后在空气中被氧化的Si形成的SiOx去除掉提升Si表面的疏水性，相比于干刻机还能在相同时间内形成更加深的Si凹槽。最重要是NaOH还能与还能与SiO2表面形成Si‑OH的结构，调控SiO2的亲水性。同时在这个浓度下处理出的基片表面平整光滑，其反应温度与时间的配合也使得反应速率极大的优化。
基本信息
专利标题 ：
一种基片自对准键合方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110993558A
申请号 ：
CN201911126192.X
公开（公告）日 ：
2020-04-10
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN110993558B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
王韬万江汤正杰
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
闫树平
优先权 ：
CN201911126192.X
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-05-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20191118
申请日 : 20191118
2020-04-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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