晶片处理系统和用于所述晶片处理系统的环流扩展器
授权
摘要
晶片处理系统和在这些系统中使用的环流扩展器，该流扩展器靠近并围绕晶片承载器的周边边缘。环流扩展器具有面向上游方向的顶表面，环被构造和布置成使得当反应器处于操作状态时，环紧密地围绕晶片承载器并且环的顶表面与承载器的顶表面基本上是位于同一平面的和/或连续的。环流扩展器具有外周面，外周面包括在环的顶表面处或附近的倒圆部分。
基本信息
专利标题 ：
晶片处理系统和用于所述晶片处理系统的环流扩展器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920438028.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-02
授权号 ：
CN210261980U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
A·巴格奇B·米特罗维奇C·P·张A·古如艾瑞
申请人 ：
维易科仪器有限公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京鸿元知识产权代理有限公司
代理人 ：
李琳
优先权 ：
CN201920438028.1
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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