一种籽晶托

授权

摘要

本申请提供了一种籽晶托，通过在籽晶托基底的中心区域设有导热层，并且导热层的热导率大于籽晶托基底的热导率。当将SiC籽晶粘结在籽晶托上进行单晶生长时，由于籽晶托中心区域的导热层的热导率比石墨籽晶托基底大，因此，对应该中心区域的籽晶表面温度相比籽晶其它区域温度低，对应生长组分浓度高、过饱和度大，当其过饱和达到临界过饱和度时，便开始成核，而籽晶表面其他区域温度相对较高，还达不到临界过饱和度，无法自发成核。这样，便可以上述中心区域形成的晶核为中心缓慢生长，建立起中心晶核优势，进而获得碳化硅单晶。本申请利用上述导热层调制籽晶表面温场，减少了成核数量，提高了SiC晶体质量。

基本信息

专利标题：

一种籽晶托

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920647584.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-07

授权号：

CN209890759U

授权日：

2020-01-03

发明人：

杨祥龙徐现刚陈秀芳胡小波于国建

申请人：

广州南砂晶圆半导体技术有限公司

申请人地址：

广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201920647584.X

主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B23/00 C30B29/36