一种籽晶托
授权
摘要
本申请提供了一种籽晶托,通过在籽晶托基底的中心区域设有导热层,并且导热层的热导率大于籽晶托基底的热导率。当将SiC籽晶粘结在籽晶托上进行单晶生长时,由于籽晶托中心区域的导热层的热导率比石墨籽晶托基底大,因此,对应该中心区域的籽晶表面温度相比籽晶其它区域温度低,对应生长组分浓度高、过饱和度大,当其过饱和达到临界过饱和度时,便开始成核,而籽晶表面其他区域温度相对较高,还达不到临界过饱和度,无法自发成核。这样,便可以上述中心区域形成的晶核为中心缓慢生长,建立起中心晶核优势,进而获得碳化硅单晶。本申请利用上述导热层调制籽晶表面温场,减少了成核数量,提高了SiC晶体质量。
基本信息
专利标题 :
一种籽晶托
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920647584.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-07
授权号 :
CN209890759U
授权日 :
2020-01-03
发明人 :
杨祥龙徐现刚陈秀芳胡小波于国建
申请人 :
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请人地址 :
广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201920647584.X
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2020-01-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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