一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置
授权
摘要
本发明提供了一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置。其保温层部分由上盖保温层和筒体保温层组成，上盖保温层由至少两部分可开合式块体组成；上盖保温层内部设有相互连通的微孔管道，微孔管道两侧设有子管道，孔道内壁设有圆形凹坑，子管道中预装有可置换的多孔固体活性碳或多层多孔的嵌套细管供挥发物沉降用；上盖保温层的底部还具有粉尘清理装置，用于清扫坩埚盖表面的碳化硅颗粒及粉尘。本发明可以有效避免碳化硅单晶生长过程中，生长装置内部的挥发物沉降到坩埚盖上表面，从而堵塞测温孔的问题，通过测温孔粉尘自清洁结构，保证了红外测温仪读数的准确性，进而保证碳化硅单晶的生长质量。
基本信息
专利标题 ：
一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113201790A
申请号 ：
CN202110433174.7
公开（公告）日 ：
2021-08-03
申请日 ：
2021-04-22
授权号 ：
CN113201790B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
陈启生许学仁郭云龙许浩
申请人 ：
中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市新城区大学科技园1号楼5-7层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202110433174.7
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 B08B1/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-08-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20210422
申请日 : 20210422
2021-08-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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