一种半导体发光元件、封装体和发光装置
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摘要
一种半导体发光元件，其包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上的第一电极，第一电极包括用于外部打线的主焊盘电极，主焊盘电极包括与第一导电类型半导体层接触的欧姆接触层和打线层；第一导电类型半导体层下侧的发光层和第二导电类型半导体层；主焊盘电极垂直下方的第二导电类型半导体层下侧具有电流阻挡层；电流阻挡层下侧具有第二电极，所述的打线层的表面形成有规则的高低差，所述的欧姆接触层与第一导电类型半导体层之间的面为平整面。打线层表面侧的台阶设计或多个图形的设计可促进打线力在打线层中横向的分散，减弱打线力垂直向下传输至半导体发光序列下侧的绝缘层上，从而避免位于第一电极的主焊盘电极下方的绝缘层脱落。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体发光元件、封装体和发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920651244.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-08
授权号 ：
CN209626251U
授权日 ：
2019-11-12
发明人 ：
李慧文潘冠甫林仕尉张东炎界晓菲白潇陈艳玲
申请人 ：
天津三安光电有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区华苑产业区海泰南道20号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920651244.4
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/62 H01L33/54 H01L33/14
法律状态
2019-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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