一种晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶体生长装置，该晶体生长装置包括：底座、第一玻璃杯、进样器、以及水冷装置；所述第一玻璃杯内固定设置有坩埚，所述坩埚的外侧设置有加热装置；所述进样器包括设置再所述坩埚内的竖直杆体，以及固定设置在所述竖直杆体的底端的矩形框；还包括倒U形的出气管。本实用新型的有益效果是：通过设置的底座，可以达到连接其它部件的目的；通过设置的第一玻璃杯，可以达到实现晶体生长的目的；通过设置的进样器，可以达到放置籽晶的目的；通过设置的水冷装置，可以达到对基液蒸汽进行冷却的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920702743.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-16
授权号 ：
CN209816334U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
高晓丽付旻耿荣丽高鸿宇
申请人 ：
太原师范学院
申请人地址 ：
山西省晋中市榆次区大学街319号
代理机构 ：
泰州淘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨建新
优先权 ：
CN201920702743.1
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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