一种晶体生长的装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种晶体生长的装置,本实用新型涉及晶体生长技术领域,所述加热炉体的内部设置有炉仓,且加热炉体的一侧表面安装有显示屏,所述炉仓的内壁上安装有多个平行设置的U形结构的加热管,且炉仓的内部设置有坩埚,所述加热管的端面连接有连接柱。本实用新型由称重传感器对加入晶体原料后的坩埚进行称重,并将重量信息实时传输到显示屏中,由多个加热管对坩埚的外壁进行加热升温,热量作用在晶体原料上,通过称重传感器可检测到加热后的晶体重量变化;坩埚由伺服电机驱动丝杠转动,滑套与滑台发生滑动,保证了滑动板在平移时的稳定性,通过支撑板的移动使得坩埚离开炉仓的内部,便于添加晶体原料进行生长。

基本信息
专利标题 :
一种晶体生长的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123117434.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-13
授权号 :
CN216585321U
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
陈甜甜
申请人 :
武汉市昇电科技有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市江夏区庙山经济开发区汤逊湖民营工业园(武昌区钢城装饰材料经营部办公楼)
代理机构 :
武汉兮悦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
刘志强
优先权 :
CN202123117434.4
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/36  G01G17/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-05-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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