一种锗单晶生长炉支撑底座
授权
摘要
本实用新型公开了一种锗单晶生长炉支撑底座，包括主体、固定装置和风冷装置，所述主体的底部在靠近外部边缘处设置有四条支撑腿，所述主体的下方在四条支撑腿的内侧设置有安装架，所述主体在安装架的上方开设有若干的散热孔洞，所述主体的四周设置有延伸板，所述延伸板上设置有第二安装板，所述固定装置设置有四组，所述固定装置包括第一安装板、液压缸和夹板，所述第一安装板固定安装于主体的上表面靠近外部边缘处，所述液压缸固定安装于第一安装板上，所述夹板的一侧固定与液压缸的伸缩端处连接，所述风冷装置包括第一电机、第二电机、第一散热风扇和第二散热风扇，本实用新型支撑稳定性和固定夹紧稳定性高，整体散热效果好且使用安全。
基本信息
专利标题 ：
一种锗单晶生长炉支撑底座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920720290.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-20
授权号 ：
CN210341130U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
王卿伟柯尊斌郭友林陈仕天秦瑶
申请人 ：
中锗科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市溧水经济开发区中兴东路9号
代理机构 ：
南京新慧恒诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晓静
优先权 ：
CN201920720290.5
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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