一种高冲击传感器敏感芯片的封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及微型电子技术领域，特别涉及一种高冲击传感器敏感芯片的封装结构，包括有敏感芯片，所述封装结构包括有矩形结构的金属外壳和金属盖板，所述金属外壳的中部设置有凹槽，所述金属外壳的侧面设置有供电连接线穿过与敏感芯片电性连接的通孔，所述通孔与凹槽内侧小头端连通，所述金属盖板远离敏感芯片的一侧为凹球面，所述金属外壳在自身长度方向上位于凹槽的两侧均设置有安装孔，采用金属外壳使得敏感芯片能够更高温的环境下，保持性能不变，金属外壳的气密性更好，金属盖板与凹槽封闭的空间充斥惰性气体，防止敏感芯片氧化或减小敏感芯片受到温度的影响，使用寿命较长。
基本信息
专利标题 ：
一种高冲击传感器敏感芯片的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920805154.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN209607763U
授权日 ：
2019-11-08
发明人 ：
苏刚闫长新王红战任政
申请人 ：
芜湖天波光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新区信息产业园3栋15层1502室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920805154.6
主分类号 ：
H01L41/053
IPC分类号 ：
H01L41/053
法律状态
2019-11-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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