一种新型微声学芯片底进音封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型微声学芯片底进音封装结构，包括PCB封装基板，PCB封装基板的顶端设置有金属外壳，PCB封装基板的顶端且位于金属外壳的内部设置有进音孔，PCB封装基板的顶端且位于进音孔的两侧分别设置有ASIC芯片和MEMS芯片，且ASIC芯片外侧覆盖有软胶保护层，ASIC芯片与MEMS芯片之间及ASIC芯片与PCB封装基板之间分别均通过键合金线连接，PCB封装基板与金属外壳内部顶端之间且位于进音孔远离MEMS芯片的一侧设置有弧形导流板，金属外壳内部顶部棱角处且位于弧形导流板的凹面一侧设置有反射板。有益效果为：抗干扰能力强、可靠性能高、产品体积小。
基本信息
专利标题 ：
一种新型微声学芯片底进音封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921047414.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-07
授权号 ：
CN209845303U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
陈贤明
申请人 ：
罗定市英格半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省云浮市罗定市双东街道沿江五路39号C栋
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921047414.4
主分类号 ：
H04R19/04
IPC分类号 ：
H04R19/04
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
