一种改善焊接空洞的芯片封装结构

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摘要

本实用新型涉及一种改善焊接空洞的芯片封装结构，包括芯片和引线框基岛，所述芯片通过焊接料固定在引线框基岛上，所述芯片和引线框基岛之间的焊接料厚度为15‑20μm，所述芯片正下方的引线框基岛上表面设有凹槽，所述凹槽的面积小于芯片的面积，所述凹槽的深度为15‑25μm。本实用新型在保持原有的封装结构的基础上，在芯片正下方的引线框基岛上表面设置凹槽，凹槽不影响原来的引线框基岛对芯片的支撑方式，所以芯片倾斜不会超标，焊接料爬高容易控制；另外凹槽的深度为15‑25μm，这样芯片下方凹槽处的焊接料厚度变成大于30μm，很好地解决了焊接空洞问题。

基本信息

专利标题：

一种改善焊接空洞的芯片封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921073609.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-10

授权号：

CN210015854U

授权日：

2020-02-04

发明人：

杨建伟张怡

申请人：

广东气派科技有限公司

申请人地址：

广东省东莞市石排镇气派科技路气派大厦

代理机构：

深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司

代理人：

吴雅丽

优先权：

CN201921073609.6

主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L23/495