一种用于科学级CMOS相机的芯片散热结构
授权
摘要
本实用新型涉及科学级CMOS相机领域，具体涉及一种用于科学级CMOS相机的芯片散热结构。从下至上包括下壳、第一芯片、主板、导热块、FPGA板、第二芯片和中壳；所述第一芯片固定连接于主板下表面，所述主板上开设有通孔，所述通孔位于第一芯片上方，所述主板四周设有第一金属柱，所述第一金属柱顶部穿过位于主板上方的导热块并与FPGA板固定连接，所述第一金属柱底部与下壳固定连接；本实用新型能够通过壳体对芯片进行散热；壳体表面积大，与空气接触换热效率高；无需单独设置散热器，提高科学级CMOS相机内部空间利用率，能够在节省材料简化生产工艺的同时实现高效的散热；第一金属柱保证第一芯片和第二芯片之间有一定间隔，避免热量集中。
基本信息
专利标题 ：
一种用于科学级CMOS相机的芯片散热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921196228.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-26
授权号 ：
CN209845120U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
李海山赵泽宇陈兵
申请人 ：
福州鑫图光电有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市仓山区盖山镇齐安路756号财茂城主楼6楼
代理机构 ：
福州市博深专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
颜丽蓉
优先权 ：
CN201921196228.7
主分类号 ：
H04N5/225
IPC分类号 ：
H04N5/225 G03B17/55
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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