半导体装置
授权
摘要
本实用新型公开了半导体装置。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区之间，二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区。第一肖特基区靠近第一区设置，第二肖特基区靠近第二区设置。半导体装置还包括电场调制区，电场调制区设置在第一肖特基区与第二肖特基区之间。调制掺杂区包括第一调制掺杂区和第二调制掺杂区。半导体装置还包括第一JFET区和第二JFET区。根据本实用新型的半导体装置具有更好的电流能力、电压能力、可靠性以及更高的芯片集成度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921230128.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN210296373U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
郑亚良李浩南陈伟钿周永昌黎沛涛
申请人 ：
创能动力科技有限公司
申请人地址 ：
中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
代理机构 ：
深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋建平
优先权 ：
CN201921230128.1
主分类号 ：
H01L27/07
IPC分类号 ：
H01L27/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
H01L27/07
有源区共用的组件
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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