集成电路的封装结构及半导体封装装置

授权

摘要

本实用新型提供一种集成电路的封装结构，包含晶粒、密封环、残留测试结构及保护层，晶粒具有电路区、边界区、侧壁与切割边界，切割边界与侧壁位于边界区；密封环设置于晶粒上且位于电路区与边界区之间；残留测试结构设置于晶粒上且位于切割边界与侧壁之间；保护层自电路区延伸设置于边界区，且覆盖密封环与残留测试结构，保护层并覆盖密封环与残留测试结构之间的边界区，此封装结构可有效抑制测试结构残留所造成的影响，以提升产品的生产良率。本实用新型另提供一种包含上述集成电路的封装结构的半导体封装装置。

基本信息

专利标题：

集成电路的封装结构及半导体封装装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921508087.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-11

授权号：

CN210167347U

授权日：

2020-03-20

发明人：

黄水木

申请人：

力智电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹县竹北市台元一街5号9楼之1

代理机构：

中国商标专利事务所有限公司

代理人：

张立晶

优先权：

CN201921508087.8

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L21/66