适用于RF器件的封装结构
授权
摘要
本实用新型揭示了适用于RF器件的封装结构，包括基板，基板上设置有从其上表面延伸到下表面的焊盘，焊盘通过金凸点倒装连接至少一芯片，芯片下表面的微机电结构朝向所述基板，基板上覆盖有包裹所述芯片的低流动性薄膜，低流动性薄膜与所述基板和芯片围合形成一密闭腔体且其上覆盖有高固化强度防水膜，高固化强度防水膜上形成有屏蔽层。本方案通过设置2层膜结构+1层金属屏蔽和保护结构，确保核心功能区生成一个密封空腔结构，有效的实现了小型化可靠性高、电性能好、适合规模化生产、良率高和成本低，此方案可用作声表面波滤波器SAW、体声滤波器BAW/FBAR、射频微机械（MEMS）开关、有源振荡器和谐振器等器件，市场前景广阔，便于推广应用。
基本信息
专利标题 ：
适用于RF器件的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921539304.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN211208425U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
王建国申亚琪
申请人 ：
苏州捷研芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区05幢102室
代理机构 ：
南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陆明耀
优先权 ：
CN201921539304.X
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/492 H01P1/20 H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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