I型电路的封装结构及适用于散热器的封装结构
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摘要
本实用新型公开了I型电路的封装结构及适用于散热器的封装结构,所述I型电路包括多个功率半导体器件,所述I型电路的封装结构包括两个功率模块,且其中一个功率模块的功率半导体器件数量大于或等于另一个功率模块的功率半导体器件数量。通过对I型三电平逆变拓扑电路的封装结构的调整,能够简化功率模块间的外部接线,节省安装面积,提高单位体积的功率密度。
基本信息
专利标题 :
I型电路的封装结构及适用于散热器的封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921737505.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-16
授权号 :
CN210535648U
授权日 :
2020-05-15
发明人 :
兰祥金洪培在倪泽联白志扬
申请人 :
科华恒盛股份有限公司;漳州科华技术有限责任公司
申请人地址 :
福建省厦门市火炬高新区火炬园马垄路457号
代理机构 :
石家庄国为知识产权事务所
代理人 :
付晓娣
优先权 :
CN201921737505.0
主分类号 :
H01L23/31
IPC分类号 :
H01L23/31 H01L23/367 H02M7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装,例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-05-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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