毫米波频段放大器芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种毫米波频段放大器芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板和封盖；封装基板上设有自上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层，封盖设置于封装基板上且用于封盖封装基板，封盖设有开口向下的内腔。本实用新型提供的毫米波频段放大器芯片封装结构形式，采用封装基板和封盖结合的形式，并在封装基板上设置容纳槽的形式实现对芯片的容纳，有效的缩短了芯片与封装基板之间的连接长度，便于降低寄生电感，提高了芯片的传输能力。带有内腔的封盖使芯片的芯片直流端口与封装基板的连接直接接触空气，降低了高频波段的损耗，提高了芯片的自身射频性能。
基本信息
专利标题 ：
毫米波频段放大器芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921947625.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-12
授权号 ：
CN210429797U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
张晓朋吴兰高博曲韩宾邢浦旭崔培水谷江
申请人 ：
河北新华北集成电路有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
祁静
优先权 ：
CN201921947625.3
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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