一种集成式单晶生长炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种集成式单晶生长炉，包括后级真空泵以及多个腔体，每个腔体均分别设置有抽气系统，抽气系统包括与腔体连通的抽气管以及前级真空泵，前级真空泵用以排出腔体和抽气管内的气体，每个腔体的抽气管分别与后级真空泵连通，后级真空泵用以排空腔体和抽气管内的气体。该集成式单晶生长炉通过多个腔体共用一个后级真空泵的方式，减少了后级真空泵的购买成本以及维护成本，同时节省了厂房内的空间。
基本信息
专利标题 ：
一种集成式单晶生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922207809.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN211079412U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
刘欣宇袁振洲
申请人 ：
江苏超芯星半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道9号A5栋
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄启兵
优先权 ：
CN201922207809.2
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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