晶边检测系统
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶边检测系统；包括：光组元件，位于工艺腔室内，且位于工艺腔室内用于吸附晶圆的晶圆卡盘一侧；扫描电子显微镜，位于工艺腔室内，且位于晶圆卡盘一侧，用于获取工艺处理前晶圆的第一边缘图形及工艺处理后晶圆的第二边缘图形；数据处理系统，用于量测基于第二边缘图形及第一边缘图形得到所述晶圆的边缘处理区域的宽度、对边缘处理区域内的缺陷进行标定及判断晶圆的中心是否偏离晶圆卡盘的中心，并在晶圆的中心偏离晶圆卡盘的中心时向工艺腔室的控制系统发送矫正指令。本实用新型可以对晶圆进行边缘工艺处理后进行实时监测，及时发现边缘处理区域的异常及晶圆的中心是否偏离晶圆卡盘的中心，节省量测成本并提高制程良率。
基本信息
专利标题 ：
晶边检测系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922213087.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN211017008U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
王鑫国
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201922213087.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 G01N23/2251
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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