一种用于合成半导体多晶材料的反应管装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于合成半导体多晶材料的反应管装置，包括均为水平设置的石墨管和热解氮化硼材料管，热解氮化硼材料管的外径接近石墨管的内径，热解氮化硼材料管位于石墨管内，且热解氮化硼材料管的底部外管壁与石墨管的底部内管壁相接触。石墨管的顶部管壁的两端分别设有第一通气孔，热解氮化硼材料的顶部管壁的两端分别设有第二通气孔，第一通气孔与第二通气孔位置对应。本实用新型的反应管装置，能有效地将合成的半导体多晶材料的与石墨隔离，降低多晶材料中碳元素的含量，有效提高晶体的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种用于合成半导体多晶材料的反应管装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922396353.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN211689296U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
马英俊林泉许兴李万朋许所成刘向前邢爱君焦雪梅孔鑫燚
申请人 ：
北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区北三环中路43号二区
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
佟林松
优先权 ：
CN201922396353.9
主分类号 ：
C30B28/14
IPC分类号 ：
C30B28/14 C30B29/44 C30B29/40 C30B29/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/12
由气态直接制备
C30B28/14
用反应气体的化学反应法
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
