保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，该基材具有‑15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。
基本信息
专利标题 ：
保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111417513A
申请号 ：
CN201980006068.1
公开（公告）日 ：
2020-07-14
申请日 ：
2019-03-08
授权号 ：
CN111417513B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
古野健太米山裕之
申请人 ：
琳得科株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晶
优先权 ：
CN201980006068.1
主分类号 ：
B32B7/022
IPC分类号 ：
B32B7/022 B23K26/38 B23K26/53 C09J7/10 C09J201/00 H01L21/683
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B32
层状产品
B32B
层状产品，即由扁平的或非扁平的薄层，例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品
B32B7/022
••机械性质
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-08-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B32B 7/022
申请日 : 20190308
申请日 : 20190308
2020-07-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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