使用镓的离子植入工艺及设备
授权
摘要
本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
基本信息
专利标题 ：
使用镓的离子植入工艺及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112655066A
申请号 ：
CN201980057575.8
公开（公告）日 ：
2021-04-13
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN112655066B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
J·D·斯威尼J·R·德普雷斯唐瀛S·N·叶达弗E·E·约内斯O·比尔
申请人 ：
恩特格里斯公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李婷
优先权 ：
CN201980057575.8
主分类号 ：
H01J27/20
IPC分类号 ：
H01J27/20 H01J37/08 H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J27/00
离子束管
H01J27/02
离子源；离子枪
H01J27/20
用粒子轰击的，如电离器
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-04-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 27/20
申请日 : 20190911
申请日 : 20190911
2021-04-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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