本公开内容的方面涉及用于基板处理的支撑支架设备和方法，诸如等离子体处理腔室。在一个实施方式中，一种基板处理腔室包括腔室主体。所述腔室主体包括一个或多个侧壁，并且所述一个或多个侧壁中的每一者包括内表面。所述基板处理腔室还包括：基座，所述基座具有支撑表面；处理空间，所述处理空间在所述基座上方；以及下部空间，所述下部空间在所述基座下方。所述基板处理腔室还包括支架，所述支架安装到所述一个或多个侧壁中的侧壁的所述内表面。所述支架包括第一端、第二端和在所述第一端与所述第二端之间的纵向长度。所述支架还包括在所述支架中形成在所述第一端与所述第二端之间的气体开口。所述气体开口允许气体流过所述气体开口。