半导体装置
实质审查的生效
摘要
在散热片(1)的上表面(1a)设置有半导体芯片(2)。引线端子(5、6)与半导体芯片(2)电连接，且不在散热片(1)的第1侧面(1c)的上方延伸，而是在散热片(1)的第2侧面(1d)的上方延伸。模制树脂(10)对散热片(1)的上表面、第1侧面(1c)以及第2侧面(1d)、半导体芯片(2)以及引线端子(5、6)的一部分进行覆盖。散热片(1)的下表面(1b)从模制树脂(10)露出。设置有因散热片(1)的第1侧面(1c)的下部凹陷而被模制树脂(10)填充的锚固构造(11)。散热片(1)的第2侧面(1d)不存在锚固构造11)。散热片(1)不从模制树脂(10)的侧面(10a)突出。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503254A
申请号 ：
CN201980101103.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2019-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野上洋一
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭忠健
优先权 ：
CN201980101103.8
主分类号 ：
H01L23/36
IPC分类号 ：
H01L23/36 H01L23/12 H01L23/29
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/36
申请日 : 20191015
申请日 : 20191015
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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