一种高通量单晶生长装置
授权
摘要
本发明公开了一种高通量单晶生长装置,包括驱动机构、真空机构、控制系统、加热机构和样品舱;驱动机构包括升降组件和转动组件;转动组件固定在升降组件上,并且样品舱与转动组件可拆卸连接,样品舱在转动组件的带动下沿自身轴线转动,转动组件在升降组件的带动下做升降运动;真空机构包括真空泵、气体钢瓶、真空计;真空泵和气体钢瓶均通过管路与样品舱连通;并在靠近真空泵、气体钢瓶和样品舱的气口端安装阀门;加热机构适配安装在样品舱的下方;控制系统分别与加热机构、升降组件和转动组件的控制部电连接;本发明能够保证单晶体生长真空或气氛环境,避免氧化,同时生长温度更高,适用于更多种类的单晶体,生产效率更高,自动化程度更高。
基本信息
专利标题 :
一种高通量单晶生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111254484A
申请号 :
CN202010054648.2
公开(公告)日 :
2020-06-09
申请日 :
2020-01-17
授权号 :
CN111254484B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
曹义明康艳茹何禧佳徐坤李哲张元磊魏生贤刘冕
申请人 :
曲靖师范学院
申请人地址 :
云南省曲靖市麒麟区三江大道珠源西路
代理机构 :
北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
姜海荣
优先权 :
CN202010054648.2
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-05-13 :
授权
2020-07-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 11/00
申请日 : 20200117
申请日 : 20200117
2020-06-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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