一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法
授权
摘要
本发明公开了一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法，可以应用在硅功率模块以及碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率模块中；封装结构包括：散热基板，绝缘基板，附着于绝缘基板上的功率芯片、驱动电阻、热敏电阻，叠层绝缘块和解耦电容，键合线，灌封胶，外壳及端子；该结构通过解耦电容，为各并联的功率芯片提供了相同长度的动态换流回路，且将端子电感动态解耦，从而降低了并联的功率芯片在开关过程中的动态电流差异和关断过程中的电压尖峰；功率开关管芯片的驱动信号线采用Kelvin连接方式，增强了驱动的稳定性。本发明提供的封装方法可以为上述封装结构提供可靠的加工方法，使得该封装结构得以实现，且成本低、加工质量好。
基本信息
专利标题 ：
一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113497014A
申请号 ：
CN202010204449.5
公开（公告）日 ：
2021-10-12
申请日 ：
2020-03-21
授权号 ：
CN113497014B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
吕坚玮陈材黄志召张弛刘新民康勇
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
武汉华之喻知识产权代理有限公司
代理人 ：
廖盈春
优先权 ：
CN202010204449.5
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L21/98 H01L23/367 H01L21/50 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-10-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20200321
申请日 : 20200321
2021-10-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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