一种埋入器件的封装结构以及制造方法

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摘要

本发明提供一种埋入器件的封装结构，包括：设置在基板上的多个第一限位结构；设置在所述埋入器件的背面的多个第二限位结构；多个第二限位结构的数量与多个第一限位结构的数量相匹配；多个第一限位结构的形状与所述多个第二限位结构的形状相匹配，形成配合结构。本发明提供的埋入器件的封装结构，通过对封装基板开槽位置底部结构以及埋入器件背面(非功能面)结构进行匹配设计，可大幅提高器件埋入基板时的精度和器件埋入后的稳定性，器件在后续介质层压合过程中不会发生位移，从而避免在后续开孔对接器件上引脚进行引出时互联失败的问题。

基本信息

专利标题：

一种埋入器件的封装结构以及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111725154A

申请号：

CN202010609160.1

公开（公告）日：

2020-09-29

申请日：

2020-06-29

授权号：

CN111725154B

授权日：

2022-06-10

发明人：

丁才华曹立强王启东方志丹

申请人：

上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区自由贸易试验区创新西路778号

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司

代理人：

郑越

优先权：

CN202010609160.1

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L21/56