一种半导体制冷石墨烯芯片
授权
摘要
本发明公开了一种半导体制冷石墨烯芯片,包括导热金属层,所述导热金属层顶部的中间位置处均匀设置有散热孔,所述导热金属层的底部设置有芯片主体层,所述芯片主体层的底部设置有底座,所述底座的底部均匀设置有连接针脚,所述芯片主体层内部的中间位置处设置有电路板,所述芯片主体层背面一端一侧的中间位置处设置有安装槽,所述安装槽内侧的一端设置有电磁铁A,所述电磁铁A远离安装槽的一端设置有电磁铁B;本发明装置通过两个芯片组的结合,在低数据运算处理时,可通过电磁控制连接,实现芯片分离,使得其中单个芯片进行运算,另一个芯片处于修整待机状态,从而延长了芯片的使用寿命,同时减少了热量产生。
基本信息
专利标题 :
一种半导体制冷石墨烯芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111987055A
申请号 :
CN202010686659.2
公开(公告)日 :
2020-11-24
申请日 :
2020-07-16
授权号 :
CN111987055B
授权日 :
2022-06-07
发明人 :
李义张培林武建军柴利春张作文王志辉
申请人 :
大同新成新材料股份有限公司
申请人地址 :
山西省大同市新荣区花园屯村
代理机构 :
太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
杨凯
优先权 :
CN202010686659.2
主分类号 :
H01L23/367
IPC分类号 :
H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择,例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-06-07 :
授权
2020-12-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20200716
申请日 : 20200716
2020-11-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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