MEMS器件及其封装结构、基底结构和制造方法、滤波器及电...
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种MEMS器件的封装结构、基底结构和制造方法。封装结构包括：第一基底，具有第一对置面；第二基底，具有与第一对置面对置的第二对置面；导电层，设置在第一对置面一侧，导电层包括接合层和第一抵接部，接合层包括面对第一对置面的密封界面，第一抵接部在接合层的与密封界面相对的表面与接合层相连接；第二抵接部，设置在第二对置面一侧，第一抵接部与第二抵接部彼此对置接合而电连接，第二抵接部适于与MEMS器件电连接，其中：封装结构还包括导通部，导通部与导电层电连接。本发明还涉及一种MEMS器件、一种滤波器和一种电子设备。
基本信息
专利标题 ：
MEMS器件及其封装结构、基底结构和制造方法、滤波器及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114275732A
申请号 ：
CN202011035469.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庞慰黄源清张孟伦
申请人 ：
诺思（天津）微系统有限责任公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区开发区西区新业五街27号
代理机构 ：
北京金诚同达律师事务所
代理人 ：
汤雄军
优先权 ：
CN202011035469.0
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81B 7/00
申请日 : 20200927
申请日 : 20200927
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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