半导体器件及其制造方法
授权
摘要
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，包括自下向上依次形成的下层衬底、绝缘埋层和上层衬底，所述上层衬底包括体接触区和器件有源区；栅极层，形成于所述上层衬底上，所述栅极层至少从所述器件有源区上延伸至所述体接触区上，所述栅极层和所述体接触区之间形成有一低介电常数层，所述栅极层和所述器件有源区之间形成有一栅氧层；以及，侧墙，形成于所述栅极层的侧壁上，且所述侧墙封住所述低介电常数层；其中，所述低介电常数层的相对介电常数低于所述栅氧层。本发明的技术方案使得体接触寄生区的上层衬底与其上方的低介电常数层和栅极层构成的寄生电容得到减小，从而使得截止频率得到提高。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112349783A
申请号 ：
CN202011223737.1
公开（公告）日 ：
2021-02-09
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
CN112349783B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
程亚杰施森华
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202011223737.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-03-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201105
申请日 : 20201105
2021-02-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
