钨工艺副产物捕捉装置及具有其的半导体薄膜加工设备
公开
摘要
本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种钨工艺副产物捕捉装置及具有其的半导体薄膜加工设备。钨工艺副产物捕捉装置包括：壳体，壳体的一端用于连通半导体反应室；内部加热组件，内部加热组件设置在壳体的内部；吸附组件，吸附组件设置在壳体的内部，吸附组件用于吸附半导体反应室内产生的副产气体。根据本发明的钨工艺副产物捕捉装置，半导体反应室生成的副产气体从半导体反应室输入到钨工艺副产物捕捉装置中，副产气体被内部加热组件加热后附着在吸附组件的表面，从而将副产气体留在钨工艺副产物捕捉装置中，防止副产气体进入真空泵，减少副产气体造成真空泵故障的现象，减少副产气体在真空管线内沉积积累造成真空管线堵塞的现象。
基本信息
专利标题 ：
钨工艺副产物捕捉装置及具有其的半导体薄膜加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628271A
申请号 ：
CN202011435911.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金暻台白国斌高建峰王桂磊田光辉丁云凌
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晶
优先权 ：
CN202011435911.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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