一种内嵌元件的封装方法及封装结构
授权
摘要
本发明公开一种内嵌元件的封装方法及封装结构，该内嵌元件的封装方法，包括：采用结合材料将半导体元件的背面与引线框架的正面结合，形成一级结构；将DAF材料覆盖并压合于一级结构的正面，形成DAF层；在DAF层加工出将引线框架的正面露出的导通孔；在导通孔内填充金属核球，金属核球之间结合形成导电柱；将引线框架刻出图案；该内嵌元件的封装结构包括：引线框架；半导体元件，其背面结合于导电部的正面；DAF层；半导体元件的正面电极接点由DAF层露出；DAF层设有导通孔；导电柱填充于导通孔，导电柱包括若干相互连接的金属核球。该内嵌元件的封装方法及封装结构，缩小了产品体积，简化了方法和结构，引线框架可用于散热，导电柱的导通性能好。
基本信息
专利标题 ：
一种内嵌元件的封装方法及封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112701050A
申请号 ：
CN202011536517.4
公开（公告）日 ：
2021-04-23
申请日 ：
2020-12-22
授权号 ：
CN112701050B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
唐和明王琇如
申请人 ：
杰群电子科技（东莞）有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市黄江镇裕元工业区内精成科技园A、B栋
代理机构 ：
北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐明磊
优先权 ：
CN202011536517.4
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/56 H01L23/31 H01L23/367 H01L23/495 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-05-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20201222
申请日 : 20201222
2021-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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