一种传感器封装结构
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摘要
本实用新型公开了一种传感器封装结构，涉及传感器技术领域，该传感器封装结构包括芯片、基座和应力缓冲层，其中基座设置有容纳腔，芯片置于容纳腔内，芯片的一侧支撑于基座且另一侧用于测取压力；应力缓冲层设置于基座和芯片之间且分别与基座和芯片固接，应力缓冲层用于缓冲由基座传递给芯片的应力。其芯片通过应力缓冲层与基座连接，应力缓冲层能够降低基座在发生温度变化时产生的应力对芯片产生的影响，使芯片输出信号稳定，能够减小测量误差，提高测量精度。
基本信息
专利标题 ：
一种传感器封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020032635.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-08
授权号 ：
CN211208426U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
黄龙圣陈文弦桂永波
申请人 ：
上海立格仪表有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区都会路909号5幢2层
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
胡彬
优先权 ：
CN202020032635.0
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/055 H01L23/16
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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