一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗系统
授权
摘要
本实用新型提供一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗系统，包括碱洗部、第一纯水清洗部、酸洗部、第二纯水清洗部和第三纯水清洗部，碱洗部、第一纯水清洗部、酸洗部、第二纯水清洗部与第三纯水清洗部依次设置，对硅片依次进行清洗，其中，碱洗部设有碱溶液，对硅片进行碱溶液清洗；酸洗部设有酸溶液，对硅片进行酸溶液清洗；第一纯水清洗部、第二纯水清洗部与第三纯水清洗部均设有纯水。本实用新型的有益效果是用于对大直径硅片边抛后清洗，采用碱洗和酸洗，去除硅片表面的颗粒杂质和金属离子，保证硅片表面的清洁度，降低清洗成本。
基本信息
专利标题 ：
一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020063115.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-13
授权号 ：
CN211265420U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
王彦君张宏杰武卫孙晨光刘建伟由佰玲刘园常雪岩谢艳杨春雪刘秒裴坤羽祝斌刘姣龙吕莹徐荣清
申请人 ：
天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202020063115.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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