本发明公开了一种便捷式大直径硅片片盒清洗工艺，其清洗工艺包括以下步骤：S1、首先进行温水预清洗，片盒通过一定温度的温水喷淋达到祛除片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，在进行低温纯水清洗，片盒通过一定温度低温水喷淋达到二次清洁片盒表面颗粒及金属离子，喷淋的过程片盒低速正向旋转和反向旋转一定时间，根据实际需求进行选择，S2、然后进行低温最终清洗。本发明可以主要配合一种便捷式大直径片盒清洗机而设定的一种新型工艺，进行更有效的去除硅片片盒表面的颗粒杂质和金属离子，提高硅片表面洁净度，防止硅片的二次污染。