基于晶体在富氧气氛中生长的三管燃烧器
授权
摘要
一种基于晶体在富氧气氛中生长的三管燃烧器，属于燃烧器技术领域。包括依次套置的三个管件及套置在最外侧管件端部的连接件，所述最内侧管件的喷头端部连接内氧喷嘴，最内侧管件另一端连通氧气；在最内侧管件的内氧喷嘴端和中间管件间形成氢气通道，在中间管件和最外侧管件间形成外氧通道，该外氧通道连通氧气；所述连接件套置在内氧喷嘴上，并置于晶体生长室顶部，连接件上与各通道连接端分别对应开有多个通孔，由内氧喷嘴至外分别形成氢气喷嘴及外氧喷嘴，各个喷嘴喷出的气体喷入晶体生长室，保证晶体熔体及其生长界面处于富氧气氛当中，并能够有效促使氢气和内氧充分燃烧并加热内氧。
基本信息
专利标题 ：
基于晶体在富氧气氛中生长的三管燃烧器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020158643.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-10
授权号 ：
CN211947289U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
唐坚赵琰张东毕孝国董颖男牛微孙旭东赵韦仑
申请人 ：
沈阳工程学院
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
代理机构 ：
沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吕敏
优先权 ：
CN202020158643.X
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C30B11/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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