一种全自动晶体生长炉

授权

摘要

本实用新型公开了一种全自动晶体生长炉，包括底炉体、制冷机、第一高温电机、第二高温电机、控制机柜和炉压控制器，所述底炉体的内侧设置有保温桶，所述底炉体的内部下表面焊接有位于加热器内侧的侧板，所述冷却管的内侧底端设置有安装横板，所述底炉体的上方设置有分段体，所述控制机柜位于制冷机的右侧，所述炉压控制器安装在控制机柜的左侧面。该全自动晶体生长炉，利用冷却管和喷头方便均匀降低底炉体的温度，使得晶体均匀冷却，结构稳定，利用分段体之间的卡槽连接以及固定盘之间的螺钉连接，便于拆分底炉体，从而方便维修，通过压力传感器监控炉压，将炉压控制在40Torr，正常控制重掺锑单晶的电阻率分布。

基本信息

专利标题：

一种全自动晶体生长炉

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020200262.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-24

授权号：

CN211420365U

授权日：

2020-09-04

发明人：

张向东陆荣俞顺根程龙柱章斌

申请人：

衢州晶哲电子材料有限公司

申请人地址：

浙江省衢州市衢江区岑一路11-1号1幢

代理机构：

衢州维创维邦专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

高永志

优先权：

CN202020200262.3

主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B29/06 C30B11/04