半导体检测装置
授权
摘要
一种半导体检测装置，包括：晶圆承载装置；电晕放电系统，用于对待检测晶圆表面进行电晕喷电；电荷检测系统，用于检测待检测晶圆表面沉积的正离子或负离子的电荷量；入射光系统，用于向待检测晶圆发射第一入射光，第一入射光经待检测晶圆的反射形成第一反射光；光学信号分拣系统，用于自第一反射光中分拣出非线性光学信号；控制系统，用于获取待检测晶圆的第一缺陷信息。采用电晕放电系统在待检测晶圆表面沉积电荷，对材料内电场实现可控的非接触式调制，从而更全面地测量材料电学属性，特别是对内电场或者能带弯曲敏感的属性。在某些特定条件，通过这种非接触式的外加电场调制，还可以增强表征材料属性的信号强度。
基本信息
专利标题 ：
半导体检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020493034.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-07
授权号 ：
CN211455649U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
李海鹏张宇啸任文墨
申请人 ：
紫创(南京)科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢_373
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴敏
优先权 ：
CN202020493034.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 G01R31/12 G01R31/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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