一种芯片、芯片阵列结构及封装模块

授权

摘要

本实用新型属于芯片封装技术领域，涉及一种芯片，所述芯片包括位于芯片表面同一侧的源极区和栅极区；其中，所述源极区与所述栅极区之间设置有一阻隔层，所述阻隔层凸出于所述源极区和所述栅极区的表面。本实用新型还提供了具有所述芯片的芯片阵列结构和封装模块。根据本实用新型提供的芯片以及根据所述芯片阵列结构得到的芯片，在芯片上同一侧的源极区与栅极区之间设置阻隔层，可以在芯片的栅极与源极在固晶和固化过程中阻隔银浆的溢散，防止银浆越过源极区与栅极区之间的沟道，避免芯片发生短路，当芯片进行双面封装时，可保证双面封装模组本身的散热特性，使其具有良好的性能表现，而具有所述芯片的封装模块将具有良好的散热特性，性能更佳。

基本信息

专利标题：

一种芯片、芯片阵列结构及封装模块

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021222411.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-29

授权号：

CN212625592U

授权日：

2021-02-26

发明人：

杨宁谢健兴张雪袁毅凯

申请人：

佛山市国星光电股份有限公司

申请人地址：

广东省佛山市禅城区华宝南路18号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021222411.2

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L23/367