集成传感器的封装结构和电子设备
授权
摘要
本实用新型公开一种集成传感器的封装结构和电子设备，其中，集成传感器的封装结构包括基板和至少两个传感器；基板内设有在基板的高度方向上相对设置的金属布线层；每一传感器包括第一传感芯片和第二传感芯片；至少两个传感器的第一传感芯片均设置在基板的表面；至少两个传感器的第二传感芯片均设置在基板内，并位于金属布线层之间。本实用新型技术方案减小了集成传感器的封装结构在整体高度尺寸，同时金属布线层能够防止第一传感芯片与第二传感芯片之间的电磁干扰，进而达到提高集成传感器的性能的效果。
基本信息
专利标题 ：
集成传感器的封装结构和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021232634.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-29
授权号 ：
CN212085003U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
许婧王德信陶源田德文
申请人 ：
青岛歌尔智能传感器有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市崂山区松岭路396号109室
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
关向兰
优先权 ：
CN202021232634.7
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L25/18 H01L23/31 H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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