释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴、喷嘴臂和基片处...
授权
摘要
本实用新型提供释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴、喷嘴臂和基片处理装置。实施方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括：形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部；和形成有与第1流路连通的第2流路，并相对于第1主体部弯曲的第2主体部。角度改变机构相对于固定喷嘴主体部的固定部件，改变水平方向上的喷嘴主体部的角度。本实用新型能够抑制颗粒的产生。
基本信息
专利标题 ：
释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴、喷嘴臂和基片处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021375493.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN213278016U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
天野嘉文相浦一博植木达博
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202021375493.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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