一种用于硅片抛光的横向反应槽
授权
摘要
本实用新型涉及硅片抛光领域，尤其涉及一种用于硅片抛光的横向反应槽，包括一个槽体以及连接设置在槽体下端的底座，所述槽体中部设置有一个反应槽，所述反应槽底部设置有用于支撑硅片的支撑杆，所述槽体一侧设置有一根进水管，与水进水管相对的一侧设置有出水管，所述进水管与水出水管之间通过若干环绕槽体的循环水分管相互连接，且进水管与水出水管与外接的制冷机相互连通，所述槽体上还设置有一个排液口。本实用新型克服了现有技术中的抛光装置无法有效控制抛光反应进程的缺陷，通过以上设置是的本实用新型具有能够有效控制抛光液的温度，从而便于控制抛光反应进程的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种用于硅片抛光的横向反应槽
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022035158.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
CN213150722U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
田磊夏庆华黄成斌姚伟明
申请人 ：
湖州飞鹿新能源科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省湖州市长兴县经济技术开发区高铁路669号浙江长兴国家大学科技园16号楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022035158.6
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L31/18 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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