一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置,该装置用于光刻机中实现基片与掩模板之间实现真空曝光。该装置以掩模板为水平基准,利用第一升降驱动机构带动三点弹性支撑机构、承片台、基片上升,基片与基准掩模板接触调平后,气动及控制机构锁紧三点弹性支撑机构,同时第一升降驱动机构停止上升。然后第二升降驱动机构带动真空腔室上升并与掩模架下表面接触形成密封腔体,接着对腔体进行抽真空,从而实现样片与掩模板在真空的环境下进行曝光,提高曝光的分辨率与曝光线条的均匀性。

基本信息
专利标题 :
一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022053235.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-18
授权号 :
CN213210718U
授权日 :
2021-05-14
发明人 :
龚健文胡松于军胜赵立新杨勇杜婧
申请人 :
中国科学院光电技术研究所;电子科技大学
申请人地址 :
四川省成都市双流350信箱
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202022053235.0
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  G03F9/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2021-05-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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