一种覆晶芯片结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种覆晶芯片结构，包括线路板及设置于线路板上方的芯片本体，所述芯片本体与所述线路之间设置有金属凸块键合，所述芯片本体上表面设置有散热片，所述散热片与所述芯片本体之间设置有粘结散热胶层。本实用新型的结构解决了FCCSP产品封装过程中聚合物散热性不良和散热片偏移及覆盖度不足的问题，为小尺寸芯片器件封装提供了一种简易的封装结构。
基本信息
专利标题 ：
一种覆晶芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022221817.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
CN213150764U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
成立鹏薛敏戴俊孙俊杰
申请人 ：
矽品科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区凤里街288号
代理机构 ：
南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 ：
蒋慧妮
优先权 ：
CN202022221817.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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