一种半导体制造用晶圆对准去气腔装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体制造用晶圆对准去气腔装置，室体内部另一侧设置有导向轨，室体内部设置有晶片夹头，晶片夹头与导向轨滑动连接，底座上表面通过电机座安装有提升电机，提升电机通过第一丝杠与晶片夹头相连，室体上表面设置室盖，室盖上表面位于通槽处设置有套筒，加热灯罩下端活动设置于套筒内，加热灯罩的上端设置有齿环并与转动电机的齿盘啮合，加热灯罩及加热灯一侧均开设有凹槽并与滑动架配合，滑动架位于室体内部部分设置有激光头，横移电机通过电机座安装在室盖上表面，横移电机通过第二丝杠与滑动架相连，本实用新型结构合理，加热灯罩可以实现往复转动，这样晶圆的每个部分的加热效果是均匀的，减少晶圆缺陷的发生。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体制造用晶圆对准去气腔装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022254391.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
CN212750830U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
黄中山张建锐林保璋
申请人 ：
盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022254391.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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