提出一种器件(10)，其具有载体(1)、设置在所述载体上的半导体本体(2)、至少局部地设置在所述载体和所述半导体本体之间的中间层(3、31、32)和第一接触结构(41)，其中所述半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和有源区(23)，所述有源区沿竖直方向设置在所述半导体层(21、22)之间并且设立为用于产生电磁辐射。所述有源区沿着侧向方向具有局部去激活的区域(23D、23E)，所述局部去激活的区域不设立为用于产生电磁辐射。所述半导体本体具有开口(2R)，所述开口穿过所述第二半导体层和所述有源区朝向所述第一半导体层延伸，其中所述开口与所述有源区的去激活的区域不同并且部分地用所述中间层的材料填充。此外，所述第一接触结构设立为用于对所述第一半导体层进行电接触并且在俯视图中与所述开口重叠。此外提出一种用于制造这种器件的方法。