基板处理方法
实质审查的生效
摘要
一种基板处理方法，具备：保持具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)的步骤；对晶圆(WF)的第2面(S2)供给混入了含有臭氧气体的粒径50nm以下的气泡的处理液的步骤；以及在用以进行基板(WF)的处理的使用点对处理液进行加热的步骤。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365264A
申请号 ：
CN202080060887.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-08-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山口贵大鳅场真树岩崎晃久远藤亨植村知浩清原公平宗德皓太
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈彦
优先权 ：
CN202080060887.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/027 B08B3/08 B08B3/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200807
申请日 : 20200807
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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