基板处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基板处理方法，更详细地说，涉及改善在基板形成的薄膜的物理性质的基板处理方法。本发明的基板处理方法的一实施例包括：将基板运进第一腔室内的步骤；第一增压步骤，提高所述第一腔室内的压力，以使所述第一腔室内的压力达到高于常压的第一高压；第一降压步骤，降低所述第一腔室内的压力，以使所述第一腔室内的压力达到低于所述第一高压且在常压以上的第二高压；第一增降压反复执行步骤，将所述第一增压步骤及所述第一降压步骤反复执行预定次数；及第二降压步骤，降低所述第一腔室内的压力，以使所述第一腔室内的压力达到低于常压的第一低压。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496722A
申请号 ：
CN202110935566.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-08-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李大成权玹范朴坰
申请人 ：
圆益IPS股份有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道平泽市振威面振威产团路75
代理机构 ：
北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
郑青松
优先权 ：
CN202110935566.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/67 C23C14/54 C23C14/58 C23C16/34 C23C16/455 C23C16/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20210816
申请日 : 20210816
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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