光半导体装置的制造方法以及光半导体装置
实质审查的生效
摘要

本发明的目的在于:提供在高温工作下光半导体芯片长期维持高可靠性的光半导体装置及其制造方法。本发明是光半导体装置的制造方法,其具有:安装工序,在由陶瓷构成的封装基板上设置光半导体芯片;保管工序,在第1干燥气氛下保管所述安装工序后的封装基板;载置工序,将所述保管工序后的所述封装基板上的光半导体芯片的周围设为第2干燥气氛下,将透光性窗材借助接合材载置在所述封装基板的接合部;密封工序,在氧浓度1vol%以下的低氧浓度气氛中利用所述接合材将所述接合部和所述透光性窗材接合,从而将所述光半导体芯片封入到由所述封装基板和所述透光性窗材形成的封闭空间内,将所述密封工序后的所述封闭空间的水分浓度设为1000ppm以下、将氧浓度设为3vol%以下。

基本信息
专利标题 :
光半导体装置的制造方法以及光半导体装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114467187A
申请号 :
CN202080067471.8
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2020-09-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
丸山司新木隆司宫地岳广
申请人 :
同和电子科技有限公司
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘新宇
优先权 :
CN202080067471.8
主分类号 :
H01L33/48
IPC分类号 :
H01L33/48  H01L33/54  
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/48
申请日 : 20200918
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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