带薄膜晶圆的膜厚分布的测量方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种晶圆的第二薄膜的膜厚分布的测量方法,该晶圆具有基板、该基板表面上的第一薄膜、以及该第一薄膜上的第二薄膜,在该测量方法中,通过光学显微镜进行对焦而求出焦点的高度Z1,该光学显微镜具有使用了波长λ0的照射光的自动对焦功能,确定用于获得第二薄膜的观察图像的照射光的波长λ1,一边以Z1为基准而使焦点的高度变化,一边使用波长λ1的照射光获得第二薄膜的观察图像,计算观察图像内的反射光强度分布的标准偏差,获得与标准偏差为最大的峰值位置的焦点对应的高度Z2,并计算Z1与Z2的差ΔZ,以ΔZ为修正值进行自动对焦功能的修正,使用经过修正的自动对焦功能进行对焦,获得第二薄膜的观察图像,根据观察图像内的反射光强度分布计算膜厚分布。由此,提供一种能够高精度且稳定地进行膜厚分布的测量的方法。

基本信息
专利标题 :
带薄膜晶圆的膜厚分布的测量方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114450778A
申请号 :
CN202080068610.9
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-09-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
桑原登凯文·奎因奎特飞利浦·格斯塔多
申请人 :
信越半导体株式会社;统一半导体
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
张晶
优先权 :
CN202080068610.9
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66  G01B11/06  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200916
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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